BSC023N08NS5SCATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC023N08NS5SCATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPB020N10N5LFATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC023N08NS5SCATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TO263-3 (D2PAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
Gambaran Suhu Operasi — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Aras MSL — 1
Marking Code — 020N10LF

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga