BSC028N06NSTATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC028N06NSTATMA1 بواسطة Infineon و BSZ0901NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC028N06NSTATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 25V |
| Part Number Base | BSC028N06NS | — |
| Technology | MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V to 3.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 37 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] | — |
| Output Capacitance Coss | 825 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 56 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| AEC-Q101 Automotive Qualified | [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] | — |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |