BSC028N06NSTATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC028N06NSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ0901NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC028N06NSTATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 25V
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 100 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
MSL লেভেল 1 —
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
পিন সংখ্যা — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট