BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC030N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC030N08NS5ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Type | N-Channel Power MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 161 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 3.0 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=7 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 139 W | — |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive Logic | Standard 10V, compatible with 12V drive | — |
| Optimized Application | Synchronous Rectification | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 83 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C |