BSC030N08NS5ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC030N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و IPG20N10S436AATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC030N08NS5ATMA1 | IPG20N10S436AATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Type | N-Channel Power MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 161 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 3.0 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=7 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 139 W | — |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260 C peak reflow) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive Logic | Standard 10V, compatible with 12V drive | — |
| Optimized Application | Synchronous Rectification | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| Operating Temperature (TJ max) | — | +175 C |
| JESD-609 Code | — | e3 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100% |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| Channel Type | — | N-Channel Normal Level |