BSC030N08NS5ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC030N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N10S436AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC030N08NS5ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 C peak reflow)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Green Product)
Klorürsüz Yes —
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
Configuration — Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin