BSC035N04LSGATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC035N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N04LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC035N04LSGATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +150°C | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |