BSC035N04LSGATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC035N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC035N04LSGATMA1 BSC014N04LSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +150°C —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
MSL লেভেল — 1 (unlimited)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট