BSC035N04LSGATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC035N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC035N04LSGATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +150°C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |