BSC0501NSIATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0501NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC155N06NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0501NSIATMA1 BSC155N06NDATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS 3 (N-channel trench)
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Configuration — Dual N-channel MOSFET array
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر