BSC0501NSIATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0501NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC155N06NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0501NSIATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Configuration | — | Dual N-channel MOSFET array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |