BSC0501NSIATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0501NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC155N06NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0501NSIATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free plating)
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS 3 (N-channel trench)
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Configuration — Dual N-channel MOSFET array
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin