BSC0504NSIATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0504NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC011N03LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0504NSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
العلبة PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
جهد عتبة البوابة [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
المقاومة الحرارية [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
حالة RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 30 V
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +150 °C
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر