BSC0504NSIATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0504NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC011N03LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0504NSIATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| تھرمل ریزسٹنس | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| RoHS اسٹیٹس | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 30 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |