BSC0504NSIATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0504NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC011N03LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC0504NSIATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| থার্মাল রেজিস্ট্যান্স | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 30 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |