BSC0504NSIATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0504NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC011N03LSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0504NSIATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| מתח סף שער | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| התנגדות תרמית | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| סטטוס RoHS | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 30 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +150 °C |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |