BSC050N03LSGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC050N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSZ065N03LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC050N03LSGATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC050N03LSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 80 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 5 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |