BSC050N03LSGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC050N03LSGATMA1 מאת Infineon ו BSZ065N03LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC050N03LSGATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC050N03LSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 80 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 5 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| מארז | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | 1 |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| מארז / Case | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |