BSC076N04NDATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon و BSC019N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC076N04NDATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| العلبة | — | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |