BSC077N12NS3GATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon و ISC0703NLSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC077N12NS3GATMA1 ISC0703NLSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 57 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS family)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر