BSC077N12NS3GATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon و ISC0703NLSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC077N12NS3GATMA1 ISC0703NLSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 57 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS family)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت