BSC0902NSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC0901NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0902NSIATMA1 BSC0901NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm 1.9 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +150C
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر