BSC0902NSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0902NSIATMA1 bằng Infineon và BSC0901NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon
BSC0902NSIATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0902NSIATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.8 mOhm | 1.9 mOhm |
| Gate Charge QG(0V..10V) | 24 nC | — |
| Output Charge QOSS | 17 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Built-in Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |