BSC0902NSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0902NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0901NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0902NSIATMA1 BSC0901NSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm 1.9 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) -55C to +150C
প্যাকেজ PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট