BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC093N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC093N15NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
العلبة SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen free status] —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
خالٍ من الهالوجين — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر