BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC093N15NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0902NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC093N15NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Paket SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Klorürsüz [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin