BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC093N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0902NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC093N15NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
پیکیج SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
ہیلوجن فری [DATA_NEEDED: halogen free status] —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
ہیلوجن فری — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں