BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC093N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC093N15NS5 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC093N15NS5 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| خالٍ من الهالوجين | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Part Number | — | BSC093N15NS5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 87 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.3 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 139 W |
| AEC-Q100 Automotive Qualified | — | Not qualified (standard grade) |