BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC093N15NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC093N15NS5 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC093N15NS5 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| بستهبندی | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| بدون هالوژن | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Part Number | — | BSC093N15NS5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 87 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.3 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 139 W |
| AEC-Q100 Automotive Qualified | — | Not qualified (standard grade) |