BSC118N10NSGATMA1 vs BSC0902NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC118N10NSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC118N10NSGATMA1 BSC0902NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
العلبة PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET —
Lead Plating Pb-free —
حالة RoHS Compliant —
خالٍ من الهالوجين Yes Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (Tj)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر