BSC118N10NSGATMA1 vs BSC0902NSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC118N10NSGATMA1 توسط Infineon و BSC0902NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC118N10NSGATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 2 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement (Normal Level) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 114 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +150 C | — |
| Technology | Trench MOSFET | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | Qualified per target application | — |
| Target Application | High-frequency SMPS, synchronous rectification | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C (Tj) |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |