BSC120N03LSGATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC120N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC120N03LSGATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 12 A | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 39 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 12 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 28 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C (junction) |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | approximately 2.0 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| Packaging | — | Tape & Reel |