BSC120N03LSGATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC120N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC020N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC120N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS 3
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin