BSC120N03LSGATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC020N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC120N03LSGATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 12 A | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 39 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 12 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 28 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C (junction) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | approximately 2.0 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| Packaging | — | Tape & Reel |