BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC12DN20NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC12DN20NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 200V —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
العلبة PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single N-channel —
عدد الأطراف 8 —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر