BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC12DN20NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC190N15NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ פעילInfineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +150 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | 2.5 V to 3.5 V |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Configuration | Single N-channel | — |
| מספר פינים | 8 | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |