BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC12DN20NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC12DN20NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 200V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single N-channel —
تعداد پایه 8 —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت