BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC12DN20NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC190N15NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC12DN20NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 200V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
پیکیج PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single N-channel —
پن کی تعداد 8 —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں