BSC155N06NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC155N06NDATMA1 بواسطة Infineon و BSC0501NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC155N06NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS 5
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر