BSC155N06NDATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC155N06NDATMA1 بواسطة Infineon و BSC0901NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC155N06NDATMA1 BSC0901NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55 C to +150 C
العلبة PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
عدد الأطراف — 8
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر