BSC190N15NS3GATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon و IPP075N15N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC190N15NS3GATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
العلبة PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر