BSC190N15NS3GATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC190N15NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IPP075N15N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC190N15NS3GATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin