BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC360N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC265N10LSFGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC360N15NS3GATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر