BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC360N15NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC265N10LSFGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC360N15NS3GATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר