BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC360N15NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC265N10LSFGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSC265N10LSFGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC360N15NS3GATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL লেভেল 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট