BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSD214SNH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP135H6906XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ نشط
Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSD214SNH6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
العلبة SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead Plating Pb-free —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (unlimited)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
عدد الأطراف — 4 (3 leads + drain tab)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر