BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD214SNH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6906XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD214SNH6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Paket SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
Pin Sayısı — 4 (3 leads + drain tab)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin