BSL207SPH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL207SPH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSL207SPH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain to Source Voltage (VDS) | -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 6 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] | — |
| RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| العلبة | TSOP-6 (PG-TSOP6-6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| Series | OptiMOS™ | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| عدد الأطراف | 6 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| نوع الترانزستور | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C |
| العلبة / الحالة | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| عدد الدبابيس | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |