BSL207SPH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL207SPH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL207SPH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
بسته‌بندی TSOP-6 (PG-TSOP6-6) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
تعداد پایه 6 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
نوع ترانزیستور — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
محدوده دمای کاری — -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
تعداد پین‌ها — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت