BSP135H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP135H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP135H6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C (junction) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| عدد الدبابيس | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |